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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】Ge MOSFETのゲート絶縁膜のスケーリングに道、東大が1nmを切るEOTと高移動度を両立

【IEDM】Ge MOSFETのゲート絶縁膜のスケーリングに道、東大が1nmを切るEOTと高移動度を両立

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2011/12/08 10:02
  • 1/1ページ
 東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授の高木信一氏の研究グループは、等価酸化膜厚(EOT)が0.98nmと非常に薄いGeOxゲート絶縁膜を用いたGe MOSFETにおいて、nMOSとpMOSのいずれについても、1000cm2/Vsに迫る高いキャリア移動度を得た(講演番号28.3)。従来、EOTが1nm前後のGe MOSFETでは、MOS界面品質の劣化によってキャリア移動度が大幅に落ちることが少なくなかった。Si MOSFETでは、ゲート絶縁膜のEOTのスケーリングが電源電圧の低減を可能にしてきた経緯があり、今回の成果によって「Ge MOSFETでもEOTをスケーリングできる可能性を示せた」(東大の高木氏)とする。

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