東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏の研究グループは、SOI（silicon on insulator）基板を使うことによってNANDフラッシュ・メモリを8nm世代まで微細化できる可能性があることを、3次元CADシミュレーションで示した。併せて、バルクSi基板を用いる現行のNANDフラッシュ・メモリでは、13nm世代より先への微細化が難しいことを確認した。両者の差は、バルクSi基板を用いた場合に問題となる接合リーク電流や短チャネル効果を、SOI基板では抑えられることに起因するという。2011年9月28～30日に名古屋で開かれる「SSDM2011」で発表する。
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