米SuVolta社は、LSIの動作速度を落とさずに消費電力を1/2にする同社の低消費電力CMOS技術「PowerShrink」を28nm世代のhigh-k/メタル・ゲート・プロセスにも適用できることを示した。同社の見立てでは、「20nm世代以降にも適用可能」（同社President and CEOのBruce McWilliams氏）とする。
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