新日本製鐵(新日鉄)は、次世代パワー半導体に向けた口径4インチ(100mm)以下のSiC基板の生産能力を、2012年3月末までに現在の約3倍に当たる1000枚/月に引き上げる。SiC基板の需要の増大に応えて、「従来の計画を1年ほど前倒して増産する」(新日鉄マテリアルズ 常務取締役 SiCウェハカンパニー長の伊藤叡氏)意向だ。
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