新日本製鐵（新日鉄）と米Cree社は、次世代パワー半導体などに用いられるSiC基板に関して、両社が全世界で保有する特許の相互ライセンス契約を締結した。SiCのバルク基板とエピタキシャル基板について、両社が保有する特許を相互に利用することが可能になる。「無駄な特許係争を避けることで、SiCパワー半導体の市場を全世界でいち早く立ち上げることを目指したもの」（新日鉄 フェロー 技術開発本部 先端技術研究所長の橋本操氏）という。
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