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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【ICEP 2011】垂直磁化型MRAMの静磁場シールド・パッケージでルネサスが講演

【ICEP 2011】垂直磁化型MRAMの静磁場シールド・パッケージでルネサスが講演

  • 小島 郁太郎=Tech-On!
  • 2011/04/18 22:21
  • 1/1ページ
次世代メモリとして期待されているMRAM。一部で製品化も始まっている。MRAMには不揮発,高速,高い書き換え耐性といったメリットがある半面,泣き所もある。例えば,動作原理からして,静磁場に弱いこと。このため,MRAMのパッケージには,静磁場からMRAMをシールドする役割が求められる。例えば,水平磁化型のMRAMではダイの上下に並行して金属(軟磁性のパーマロイなど)を配置することで,静磁場の影響をキャンセルする。

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