ルネサス エレクトロニクスは,100Gビット/秒のEthernetに対応するスイッチやルーターなどのネットワーク機器に向けたメモリを開発した。「Low Latency DRAM」(LLDRAM)と呼ばれるメモリを,混載DRAMプロセス技術で作る。同技術を単体のメモリ製品に適用するのは,今回が初めて。標準的なDRAMプロセス技術で作っていた従来品と同等の消費電力で,大容量化と高速化を達成した。「100GビットEthernet対応のネットワーク機器は,開発が今,進んでいるところだ。その世代の機器が用いるデータ転送用バッファ・メモリにもデータ管理用テーブル・メモリにも今回の製品が適用できる」(同社 SoC第一事業本部 産業ネットワーク事業部 事業部長の亀田英夫氏)とする。2010年9月7日にサンプル出荷を開始した。
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