InfineonがTD-LTEに向けたRFトランシーバICを開発，2010年末にも出荷へ

　ドイツInfineon Technologies AGは，次世代移動通信規格「LTE」の時分割多重仕様である「TD-LTE」に向けたRFトランシーバICを開発，2010年末にもサンプル出荷する方針を明らかにした。名称は「SMARTi LU TDD」の予定。

　Infineon社は既に，FDD（frequency division duplexing）方式のLTEに向けたRFトランシーバIC「SMARTi LU」をサンプル出荷済み（Tech-On!の関連記事）。同ICは受信2および送信1のMIMO（multiple input multiple output）に対応し，下り最大150Mビット/秒，上り最大50Mビット/秒の速度がある。Infineon社はこれに加えて，TD-LTE対応のICも製品化することで，中国など同方式でのサービスを予定する地域での利用拡大を目指す考えだ。

　TD-LTEは，次世代の移動通信方式の一種。一般的なLTEが上り方向（携帯電話機から基地局）と下り方向（基地局から携帯電話機）の通信に異なる周波数チャネルを使う周波数分割多重（FDD）方式であるのに対し，TD-LTEでは上り方向と下り方向に同一の周波数チャネルを使う時分割多重（TDD：time division duplexing）方式を利用する。

1. 【人とくるま展】東芝、車載制御用マイコンのロードマップを発表
2. パナソニック、3波長のレーザ発光点を横一列に並べた半導体レーザを開発
3. 【人とくるま展】ルネサスが車載Ethernetのデモ、車載情報端末向け次期SoC「R-Car Gen2.」に搭載予定
4. 「3次元NANDフラッシュといえども、スケーリングが必須」、中央大学の竹内教授らが指摘
5. ルネサス 那珂工場の前工場長 青柳隆氏が「ISMI Excellence Award」を受賞、震災復旧時の統率力が評価される
6. パワー半導体に次世代の波
7. 高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野
8. 東芝、Cortex-M0採用のスマートメーター向け汎用マイコン
9. 【人とくるま展プレ】デンソー、出力パワー密度が60kW/Lと大きいSiCインバータを試作
10. 東芝社長の佐々木氏が方針説明、「HDDは世界3強入りへ。SoCのファブレス化は2014年度に92％に」

1. パワー半導体に次世代の波
2. 「3次元NANDフラッシュといえども、スケーリングが必須」、中央大学の竹内教授らが指摘
3. 高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野
4. 東芝社長の佐々木氏が方針説明、「HDDは世界3強入りへ。SoCのファブレス化は2014年度に92％に」
5. Silicon Labs、MCUのベア・ダイをウエーハ単位で販売開始
6. 【人とくるま展プレ】デンソー、出力パワー密度が60kW/Lと大きいSiCインバータを試作
7. パナソニックがReRAM内蔵マイコンを開発、評価用スタータキットを提供へ
8. トレックス、突入電流防止機能を搭載した200mA出力のLDOレギュレータICを発売
9. Lattice Semiconductor社が「ECP4」をサンプル出荷へ、買収した「iCE」はスマホ市場へ投入
10. Linear Technology、IIP3が26.9dBmと高い300M〜4GHz対応のダウンコンバーティング・ミキサICを発売

1. 東芝社長の佐々木氏が方針説明、「HDDは世界3強入りへ。SoCのファブレス化は2014年度に92％に」
2. パナソニックがReRAM内蔵マイコンを開発、評価用スタータキットを提供へ
3. 【人とくるま展プレ】デンソー、出力パワー密度が60kW/Lと大きいSiCインバータを試作
4. Alteraが光インタフェースを備えたFPGAの技術ロードマップを明らかに、「次は2.5次元LSI技術の適用を検討中」と同社CTO
5. パワー半導体に次世代の波
6. Microsoft社が次世代DRAMのコンソーシアムに加入した理由
7. Lattice Semiconductor社が「ECP4」をサンプル出荷へ、買収した「iCE」はスマホ市場へ投入
8. 耐圧650Vと1700VのSiC製JFETをSemiSouth Laboratoriesが発表
9. STEC社、2Xnm世代のコンシューマ・グレードMLC NANDをデータ・センター向けSSDに適用
10. UCSB発のベンチャーが耐圧600VのGaN系パワー素子製品を発表