三菱電機は，SiCパワー半導体の事業計画について明らかにした。同社が報道機関向けに開催した「パワーデバイス事業説明会」（2010年7月15日に都内で開催）において，三菱電機 専務執行役 半導体・デバイス事業本部長の久間和生氏が語ったもの。同社は，SiCダイオードとSi-IGBTを組み合わせたハイブリッド型のインバータ・モジュールを2011年度から量産し，まずは同年度中に自社の家電や産業機器，太陽光発電システム関連製品などに搭載する計画である。当初は国内向け製品に搭載する。SiCダイオードの量産には当面，同社パワーデバイス製作所（福岡県福岡市）内の100mm（4インチ）ウエハー対応ラインを使う。同社は2013～2014年度には，Si-IGBTをSiC MOSFETに置き換えたフルSiC型のインバータ・モジュールを量産化する計画である。
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