現行のバルクMOSFETの微細化が難しくなる22nm世代以降のトランジスタ技術として,プレーナ(平面)型のFD-SOI(完全空乏型SOI)デバイスと立体チャネルによるフィンFETが注目を集めている。いずれも,チャネルに不純物を添加しないで済むことから特性のばらつきを抑えやすく,22nm世代以降のトランジスタ技術の有力候補となっている。これに加えて,前者は,これまでと同じ回路レイアウトで設計できることが特徴である。後者は,新たな回路レイアウトやプロセス技術が要求されるが,前者よりも微細化(高集積化)しやすいと期待されている。それぞれの特色を訴求する形で,両者が次世代の本命技術の座をめぐってしのぎを削っている。「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルルで開催)では,両者の注目度の高さを象徴するかのように,FD-SOIデバイスについて9件,フィンFETについて4件の発表が行われた。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。