ルネサス エレクトロニクスは,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN:random telegraph noise)が原因で生じるSRAMの誤動作を,観測および実用的な時間内でシミュレーションする手法を開発した。これにより,22nm世代以降といった先端LSIにおけるRTNの影響を精度良く見積り,RTNに対する設計マージンを適切に設定できるようになる。この成果について同社は,「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルル)で発表した(論文番号:18.1)。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。