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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術,東大らが開発

NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術,東大らが開発

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2010/05/19 00:00
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 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏とSIGLEAD社らのグループは,NANDフラッシュ・メモリの動作信頼性の指標となる許容不良ビット率を従来比で最大17倍に高める技術を開発した。誤り訂正(ECC:error correcting code)の単位となるコード長(codeword)を,NANDフラッシュ・メモリの疲弊度に応じて動的に変化させることにより,消費電力の増大やデータ読み出し速度の低下を抑えつつ信頼性を高める。SSDなど,NANDフラッシュ・メモリを使うストレージ・デバイスのコントローラICに向ける。

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