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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道,東大らが1V駆動のNANDを開発

10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道,東大らが1V駆動のNANDを開発

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2010/05/19 00:00
  • 1/1ページ
 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏と産業技術総合研究所のグループは,駆動電圧が1Vと低く消費電力を従来比で86%低減できるNANDフラッシュ・メモリ技術を開発した。このメモリでSSDを構成した場合,100個以上のチップにデータを並列に書き込めることから,書き込み速度を最大で約10Gバイト/秒に高められるという。

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