米Cree，Inc.は，ドイツDaimler AGから，半絶縁性SiCとパワー半導体に関する特許を取得した（ ニュース・リリース）。対象となるのは，ドイツや米国，日本，中国などで取得した20ほどの特許。Cree社は，LED素子やパワー素子向けSiC基板を手掛ける最大手。今回の特許取得によって，同分野での事業強化を図る考えがありそうだ。

　取得した特許の中でも，米国の「U.S. Patent No. 5856231 (タイトルは「Process for Producing High-Resistance Silicon Carbide」)」が重要だという。バナジウム・ドープによる半絶縁性SiCの製造に関する特許とする。