日立製作所は，Siを使って，広い周波数範囲で実用的な水準の出力が得られるミリ波通信用電力増幅器（パワー・アンプ）を開発した。従来，Siを使った部品は化合物半導体を使う場合に比べて耐圧が低く，大出力を得ることが難しかったという。伝送信号を多段階で増幅する回路技術を開発し，これを利用して60GHz帯と80GHz帯に向けた2種類のパワー・アンプを試作した。化合物半導体製の高周波部品に比べて，製造コストの低減が期待できるとする。
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