注目論文の位置づけを説明するプログラム委員 日経BPが撮影。
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2009 Symposium on VLSI Technologyが6月15日-17日に京都で開催される。その注目論文を，プログラム委員会が報道機関向けに発表している（Tech-On!関連記事）。以下に，それら論文の概要を紹介する。
同委員会は注目論文を五つの群に分けて紹介した。（1）最先端CMOSインテグレーション，（2）最先端ロジック，（3）将来ロジック，（4）最先端メモリ，（5）将来メモリ，である。なお，回路技術の国際会議「Symposium on VLSI Technology」の注目論文はこちら。
IBMら32nm SOI-CMOSでSRAM試作
（1）の最先端CMOSインテグレーションでは，2件の論文が紹介された。一つは米IBM Corp.と米Advanced Micro Devices Inc.（AMD：現在は米GLOBAL FOUNDRIES Inc.，以下同），米Freescale Semiconductor, Inc.の共同論文である（論文番号7-3）。32nm世代のSOI-CMOSでSRAMを試作した結果が示される。セル面積が0.149μm2の16MビットSRAMの試作に成功した。以前のIEDMでは，32nmのバルクCMOSのSRAMの試作に関して報告しており，その際のセル面積は0.157μm2だった。SOI基板で小面積化を達成した。
もう1件は，仏CEA/LETIと伊仏合弁STMicroelectronics社の共同論文である（論文番号9A-1）。ウエーハの貼り合わせ技術を使ってSOI-MOS FET上に，GeOI-MOS FETを3次元積層する。3次元化によって，45nm世代で40％の面積削減が可能という。
