SiC（炭化シリコン）を材料に使ったパワー半導体素子の製品化が本格化している。既に，ショットキー・バリア・ダイオードが複数の半導体メーカーから発売されており，高性能の電源装置ではもはや欠かせない存在になっている。SiCパワー素子を使えば，導通損失とスイッチング損失の両方を低減できる。しかも，スイッチング周波数を高められるため，インダクタやコンデンサなどの周辺部品を小型化でき，電源装置全体の電力密度が向上する。しかし一方で，SiCパワー素子の採用に伴う課題もある。「第56回応用物理学関係連合講演会」（2009年3月30日～4月2日，筑波大学）において開催されたシンポジウム「低炭素・脱石油社会実現に貢献するSiCパワーデバイス開発の現状」では，自動車メーカーや電源メーカーのエンジニア，大学の研究者などがSiCパワー素子を採用した際の課題を指摘した。
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