【SPIE】EB直描向けLSI設計環境の構築に向け，米D2Sら20社が「eBeam Initiative」を設立
電子ビーム（EB）直描方式のLSI製造に向けた設計環境の構築へ，半導体業界が動き出した。米D2S, Inc.ら20社は，EB直描に最適化したLSI設計環境「design for e-beam（DFEB）」の開発と適用を促進するための業界団体「eBeam Initiative」を設立した（リリースのpdf，同団体のホームページ）。
DFEBでは，EB直描によるLSI製造のスループットを向上できる。2008年10月に富士通マイクロエレクトロニクス，イー・シャトル，D2Sの3社が同技術の共同開発に乗り出した（Tech-On!関連記事1）ほか，2009年1月には同技術でD2S，ドイツVistec Electron Beam GmbH，フランスCEA/Letiが協業することを決めていた（Tech-On!関連記事2）。
eBeam Initiativeの設立メンバーは次の通り。アドバンテスト，台湾Alchip Technologies, Inc.，米Altos Design Automation Inc.，米Cadence Design Systems, Inc.，CEA/Leti，D2S，大日本印刷，イー・シャトル，米eSilicon Corp.，米Fastrack Design, Inc.，富士通マイクロエレクトロニクス，米Magma Design Automation, Inc.，米Tela Innovations社，凸版印刷，米Virage Logic Corp.，ドイツVistec Electron Beam Lithography Group。このうち，ステアリング委員会を，アドバンテスト，CEA/Leti，D2S，イー・シャトル, 富士通マイクロエレクトロニクス，Vistec Electron Beam Lithography Groupが構成する。D2Sは事務局を兼任する。
さらに，米D. E. Shaw Research社，eSilicon，米PMC-Sierra社，米Qualcomm Inc.，伊仏STMicroelectronics社からアドバイザーを招聘する。
eBeam Initiativeの複数のメンバー企業は，既にEB直描の効果を実証するための協業を進めており，45nmと32nm世代のテスト・ウエーハを試作している。この成果は，2009年2月22〜27日に米国サンノゼで開催中の「SPIE Advanced Lithography 2009」で，「Cell Projection Use in Maskless Lithography for 45-nm and 32-nm Logic Nodes」と題して発表される。
