このトランジスタのイメージと動作データ（IBM社提供）
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米IBM Corp.は2008年12月19日，炭素材料の一種であるグラフェンを用いたFET（field effect transistor）で，GHz台の周波数での動作を確認したと発表した（発表資料）。ゲート長が150nmの場合の遮断周波数は26GHzである。今後，ゲート長をより短くすることでテラヘルツ（THz）台の動作とキャリア移動度2000cm2/Vsの実現も可能という。
グラフェンは，炭素原子が2次元の網状につながった構造の材料。この材料をFETの半導体として用いている。
具体的なFETの構造はまず,Si基板上に300nm厚のSiO2層を形成し，そこにグラフェンを1層分載せている。その上にソース電極とドレイン電極を形成後，Al2O3の酸化物の層を12nmの厚さにALD（atomic layer deposition）で形成する。さらにその酸化物層の上にゲート電極が載っている。ゲート電極がソース電極とドレイン電極と同じ側にある，トップ・ゲート構造である。
動作性能は，ゲート長に大きく依存する。ゲート長が500nmの場合，遮断周波数は3GHzだが，ゲート長を150nmに縮めると遮断周波数は26GHzにあがる。論文では，得られたデータの範囲で，遮断周波数がゲート長の2乗に反比例することを確認したとしており，それをゲート長50nmに当てはめると，遮断周波数は数百GHz台とTHzに近づく。
