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　エルピーダメモリは，データ転送速度が最大2.5Gビット/秒で，1.2Vの低電圧でも駆動できる50nmプロセスのDDR3方式シンクロナスDRAM（SDRAM）の開発を完了したと発表した（発表資料）。チップ面積は40mm2以下。サーバーやデータ・センターなどに向ける。2009年1～3月期に量産を開始する予定。

　Cu配線技術や最新のArF液浸露光技術を使用した。データ転送速度は最大2.5Gビット/秒で，2.133Gビット秒，1.866Gビット/秒，1.6Gビット/秒，1.333Gビット/秒，1.066Gビット/秒，800Mビット/秒に対応する。電源電圧は，1.5V，1.35V，1.2Vに対応。消費電力は70nmプロセス品に比べて，最大50％低減したという。

　なお，同社はこの50nmプロセス技術を携帯電話機向けのモバイルRAMや上位機種のデジタル家電にも展開するとしている。