韓国Hynix Semiconductor Inc.は，300mmウエハー工場より生産効率の低い200mmウエハー工場の閉鎖計画を前倒しで進めると発表した（発表資料）。これによって同社は，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの生産の大部分を300mmウエハー工場へ移行し，財務状況の安定化や収益性の向上を図る。

　Hynix Semiconductor社は現在，200mmウエハー工場を5つ所有している。韓国のIcheonにある「M7」，韓国のCheongjuにある「M8」と「M9」，米国オレゴン州のEugeneにある「E1」，中国のWuxiにある「HC1」である。Hynix Semiconductor社は，既に「HC1」と「E1」，「M9」の操業を停止することを発表しているが（Tech-On!の関連記事），今回，DRAMのみを生産していたM7の閉鎖を発表した。同工場は，2008年9月末までに閉鎖する予定である。

　最後の200mmウエハー工場となるM8は，当初計画していた生産規模である月産13万枚より規模を縮小して生産する予定。特殊用途向け製品に特化して生産する。この結果，200mmウエハー工場における全生産量は，2009年初めに同社の全生産能力の10％以下まで低下する見込み。2007年末に200mmウエハー工場における生産量が，同社の全生産能力の50％を占めていたのと比べると，大幅な低下となる。

　200mmウエハー工場を閉鎖することによって，2009年初めまでの同社の生産能力は，2008年第2四半期末に比べると30％減少する。DRAMの生産能力は20％，NANDフラッシュ・メモリの生産能力は40％，それぞれ減少する。

　Hynix Semiconductor社は，200mmウエハー工場から300mmウエハー工場に生産を移行することによって，技術の先行性やコスト競争力を向上させ，大手企業としての地位の強化を図るとしている。