今までSiCの学会で登壇していなかった本田技研がついに成果を発表する――。多くのSiC技術者が注目する中，本田技術研究所と新電元工業の研究グループが，SiC製の新型BJT（bipolar junction transistor）を「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ECSCRM）」で発表した（講演番号：Th2-1）。独自の構造を持つとして，「Suppressed Surface Recombination structure（SSR）-BJT」と呼ぶ。BJTとして「最高水準の特性」(本田技術研究所の登壇者)だという。同研究グループは，ハイブリッド車や電気自動車などで使うDC-DCコンバータやインバータに向けた次世代パワー半導体素子の研究開発を進めている。
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