「2008 Symposium on VLSI Technology」では，究極構造のFETとして注目されるナノワイヤーFETに関するセッションが初めて組まれた（Session 4）。ナノワイヤーFETの研究は，従来のデバイス試作段階から，性能向上に向けたプロセス改善やバラつき評価の段階に入った。この分野では，過去の本学会や「IEDM（International Electron Devices Meeting）」といったデバイス技術の国際学会において，アジア勢が圧倒的な強さを見せている。今回も，すべての発表が日本を含むアジア地域の研究グループのものだった。
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