米Virage Logic Corp.は，SoC（system on a chip）に混載するメモリとして，標準CMOSプロセスで製造できる不揮発性メモリを使った「emPROM メモリシステム」を発表した（プレス・リリース）。低コストのROMと，多数回の書き換えが可能な標準CMOSプロセスを使ったフラッシュ・メモリ「NOVeA」を組み合わせることで，最終段階でのコード変更にも対応でき，なおかつ大容量化も実現した。同社では従来SoC混載用フラッシュ・メモリとして，プログラム回数が10万回，125℃で10年間のデータ保持期間を保証するNOVeAを単体で用意していたが，セル面積が大きく，搭載できるメモリ容量が最大16ｋビットと小さいという課題があった。
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