エルピーダメモリとドイツQimonda AGは2008年6月11日，DRAMの共同開発に関する技術提携で正式に契約を結んだ（発表資料）。両社は2008年4月，技術提携の覚書を交わしており，今回は正式契約に至った（Tech-On!関連記事）。

　この契約下で両社は，エルピーダメモリのスタック型キャパシタ技術と，Qimondaの埋め込みワード線（buried wordline）技術をベースに，40nm世代以降のDRAMを共同で開発する。共同開発の第1弾として2010年までに，40nm世代プロセスを採用したセル面積4F2のDRAMを市場投入し，30nm世代への展開を目指す。

　両社はIPに関する広範な相互ライセンス契約を結んでおり，広島とドレスデンの両方で，技術者の相互派遣を含めた開発活動を進める。今後はさらに，Si貫通電極技術や次世代メモリ分野での共同開発や生産合弁について検討していく。