米Freescale Semiconductorは米国時間2008年6月9日，複数のベンチャ・キャピタルと共同出資して，MRAM事業の新会社を立ち上げると発表した。名称は「EverSpin Technologies」で，スタンドアロンのMRAMのほか，磁気関連製品を手がける。

　EverSpinはアリゾナ州チャンドラーに本拠を置き，製造設備を保有する。FreescaleのMRAM技術と，関連する知的財産および製品を移管し，Freescaleの組み込み製品向けにMRAMを提供する。また，既存のFreescale顧客への製品供給も継続する。

　従来のメモリー素子が電荷を利用して情報を記憶するのに対し，MRAMは磁気を用いる。ハード・ディスク装置の読み書きヘッドにも使われるトンネル磁気抵抗（TMR：Tunnel Magneto Resistance）素子でメモリー・セルの磁化方向を変え，それに応じた電気抵抗値の変化で情報を表現する。電源を切っても情報維持が可能な不揮発性を備える。大容量で，書き換え/読み出しが高速，低消費電力という特徴を備える。そのうえ，書き換え回数に制限がない。

　新会社設立に出資するベンチャ・キャピタルは，New Venture Partners，Sigma Partners，Lux Capital，Draper Fisher Jurvetson，Epic Ventures。出資比率などについては明らかにしていない。

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