東芝は,1Gビット以上の磁気メモリMRAMの実現に向けた新型TMR素子を開発した。微細化に向くスピン注入磁化反転方式(以下,スピン注入方式)と,素子寸法を大幅に削減できる垂直磁化技術を組み合わせた。
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