東芝は,微細化に頼らずにNAND型フラッシュ・メモリを大容量化できるという新しいメモリ・セル配列構造を発表した。ゲート電極膜と層間絶縁膜を交互に積み重ねた積層構造に,最上層から最下層まで貫通する孔を一度に開け,そこに不純物を含むSiを柱状に埋め込むもの。これにより,一定間隔でSiの柱をゲート電極層が取り囲む構造となるため,各交点にあらかじめデータ保持領域となるSiN膜などを形成しておけば,この部分をメモリ・セルとしたSONOS(silicon oxide nitride oxide silicon)型NANDフラッシュ・メモリとして機能する。同社は,次々世代以降のNANDフラッシュ・メモリに適用する技術の候補と位置付ける。
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