ハイブリッド自動車や電力系統などの制御に用いられるパワーデバイス向けとして，従来のSiより材料の物理特性にすぐれる炭化ケイ素（SiC）への期待が高まっている。ただし従来，純度の高いSiCを得るには長時間の化学成長プロセスが必要という問題があった。この問題を産業技術総合研究所（産総研）主任研究員の石田夕起氏が解決した。同氏が開発したCVD（化学的気相成長法）炉は，SiCのエピタキシャル成長速度を2ケタ早めることができる。これによって，SiC半導体の実用化が加速される可能性が出てきた。
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