300mmウエハーによるMOS ICの生産能力の推移
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設計ルール別MOS IC生産能力の推移（200mmウエハー投入量換算で単位：千枚）
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世界半導体生産キャパシティ統計（SICAS統計）の発表によると，2006年10～12月における全世界の半導体生産能力（MOS+バイポーラ）は，200mmウエハー換算で188万3700万枚/週となった。対前年同期比で15.2％増，対直前期比で4.2％増となった（発表資料）。
この内，300ｍｍウエハーを使ったMOS ICの生産能力は，対直前期比16.2％増の24万6400万枚/週（実枚数）となった。生産稼働率は85.0％で直前期からさらに低下し，2四半期続けて90％を切った。
MOS ICを設計ルール別に見ると，0.16μm以上～0.2μm未満と0.4μm以上～0.7μm未満の区分で直前期から生産能力が減少したものの，それ以外の区分では直前期を上回った。中でも伸びが大きいのは0.12μm未満で，対直前期比11.2％増の69万7900枚/週（200mmウエハーの投入枚数換算）となった。生産稼働率も93.4％と最も高いが，直前期と比較すると2四半期連続で低下している。
