日立製作所と東北大学電気通信研究所教授の大野英男氏は共同で，スピン注入磁化反転方式に基づく2Mビットの不揮発性RAMチップを試作した。1.8Vの供給電圧における書き込み時間は100ns，読み出し時間は40nsである。TMR素子は東北大学の実験施設，0.2μmルールのプロセス技術によるチップは日立製作所がそれぞれ作製した。詳細は，米国サンフランシスコで開催中の「ISSCC 2007」で現時時間2月14日に発表する（講演番号26.5）。
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