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　米Freescale Semiconductor, Inc.は，EDGE方式に対応した携帯電話機のRF回路面積を50%以下に削減できるとうたうチップセット「RFX275-30」を発表した（発表資料）。RFトランシーバICとアナログ・ベースバンドICを格納したRFトランシーバ・モジュール「MMM7010」と，パワー・アンプやアンテナ・スイッチ，電力制御回路，フィルタ，受動部品などを格納したパワー・アンプ・モジュール「MMM6028」で構成する。周辺回路を格納したことが実装面積の削減につながったほか，同社の第１世代品を使う場合に比べて製造時の試験時間は90%短縮し，歩留まりは30%改善するという。

　MMM7010に格納したRFトランシーバICは，同社としては今回初めて90nmルールのCMOS技術で設計した。パワー・アンプは，ポーラ変調技術に対応した。ポーラ変調はパワー・アンプを飽和動作させながら信号を振幅変調することが可能で，EDGE方式のRF回路に適用が広がっている。なおデジタル・ベースバンド回路とのインタフェースはDigRF規格に準拠した（DigRFのWWWサイト）。

　現在，サンプル出荷を始めている。量産は2007年第3四半期から始める。