日立製作所は，微細CMOS（相補性金属酸化膜半導体）の製造プロセスを用いて，MEMS（Micro Electro Mechanical Sytems）と周辺回路を積層した面積約1mm2の圧力センサLSIを試作し，基本動作を確認した。このMEMS圧力センサLSIは，動作時の消費電流は0.6mA，0.05～1MPaの圧力を，ばらつき0.5%以下で測定可能。従来の，MEMSと周辺回路を平面上に配置した圧力センサLSIに比べ，面積が約1/10，消費電流が半分以下である。さらに，半導体で標準的な信頼性試験において，10年の使用に相当する経時劣化が2%以下で，実用に十分な性能と信頼性を持つことが確認できた。今回，開発したMEMS圧力センサチップは，ガスや空気などの気体，および水や油などの液体の圧力測定のほか，感圧スイッチや接触センサなどへの応用も考えられる。
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