シャープが，開発中の次世代メモリー「RRAM」について1月30日～31日に開催の「第5回半導体メモリー・シンポジウム」で50分間にわたって講演する。パルスを加えると抵抗値が大幅に変わる素子を応用した不揮発性メモリーReRAMは，将来，NAND型フラッシュ・メモリーをしのぐ存在になる可能性があることから，内外のメモリー各社が開発中である。今回，そのReRAM開発の火付け役といえるシャープが，同社のReRAMの「RRAM」について最新の成果を報告する。
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