韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,60nmプロセスを適用した8GビットNANDフラッシュ・メモリーの量産を開始した。60nmプロセス技術は,同社が2004年9月に初めて発表し,現在商品化している製品では最小の回路間隔であるとする。既に2006年3月には80nmプロセスを適用したDRAM量産ラインを構築している。また70nmプロセスを使う従来のNANDフラッシュ・メモリーの生産工程に比べて生産性を25%以上向上し,コスト競争力も強化するとしている。
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