ロームが，ハイブリッド車などの駆動回路に向けたパワー半導体のSiC-MOS FETを開発，2008年頃の量産を目指してサンプル出荷を始める。SiC-MOS FETはSi-MOS FETに比べて動作時の電力損失が少なく，動作温度の上限が高いという特徴があるが，実用化されていなかった。今回，同社は定格電流3A品（耐圧900V）と10A品（耐圧1200V）の2種類を，2006年中にサンプル出荷することを決めた。インバータ回路やスイッチング電源向けのIGBT（insulated gate bipolar transistor）やパワーMOS FETの一部を，2008年頃から置き換えられる確信を得たことによる。
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