米Freescale Semiconductor社は，3.5GHz帯の周波数を利用するWiMAX基地局向けのパワー・アンプを開発した。半導体のプロセス技術およびパッケージの技術である同社の第7世代高電圧（HV7）RF LDMOS（laterally diffused metal oxide semiconductor：横方向拡散金属酸化半導体）技術で実現した。LDMOSトランジスタによるWiMAX基地局向けパワー・アンプは業界初という。同社は，モバイルWiMAX（IEEE802.16e）などに2.5GHz帯を割り当てる可能性が高い日本に関しても，LDMOSトランジスタを用いたチップセットを開発中で，2006年の早い時期にサンプル出荷を開始するという。

　今回同社が開発したのは，固定通信用WiMAX（IEEE802.16-2004）や欧州向けモバイルWiMAXなどに使われる見込みの3.5GHz帯（3.3GHz～3.8GHz）に対応したRF用パワー・トランジスタ「MRF7S38075H」。平均出力は42dBm（16W）で，直線性の限界点の目安となる「P1dB（1dB compression point）」は70Wである。同じ周波数でP1dBが40Wと10Wの製品と共に，2006年第1四半期に出荷する。

　FreescaleのLDMOSトランジスタは，2GHz帯の無線周波数を用いる第3世代携帯電話（3G）用の基地局では，広く使われている。ところが，WiMAX向けには，これまではGaAsを用いたPHEMT（pseudomorphic HEMT）型トランジスタを用いていた。理由は，3Gより高い無線周波数と，伝送方式にOFDMを用いるWiMAXでは，パワー・アンプに高い直線性や高い分解能などが要求されるため。「これまでのLDMOSでは，これらの要求に応えられなかった」（同社）という。今回，同社はLDMOSの世代を第6世代から第7世代のHV7とし，3.8GHz帯までのWiMAXで利用できるようにしたという。

　同社は日本向けに，2.5GHz帯に対応したパワー・アンプをLDMOS技術で開発済み。2006年の前半に，平均出力が35W，20W，7Wおよび3Wの各製品をサンプル出荷するという。