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【ISSCCプレビュー】ソニーは高精細動画,Samsungは開口率,CMOSセンサの覇を競う【訂正あり】

2005/11/28 22:23
大槻 智洋=日経エレクトロニクス
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 撮像素子分野における「ISSCC2006」の見どころは,何といってもCCDで世界を制した実績を持つソニーと,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が共にCMOSセンサを披露することである。Samsung社は2007年までにCMOSセンサでトップ・シェアに立つ目標を掲げている。

 ソニーは今回,撮像素子関連で合計3件発表する。撮像素子分野に限るとここ数年は1社1件だったので力の入れようが目立つ。CMOSセンサ時代もソニーは先頭に立とうとする意志が現れたといえそうだ。一方のSamsung社は,本格的に事業を始めてから初めてのISSCCにおけるCMOSセンサの発表となる。先端製品を作る力を備えつつあることアピールしようしているようだ。

 ソニーが発表するCMOSセンサの1つ目は,HDTVを超える640万画素の動画を撮影できる[講演番号:27.1]。画像データの出力速度は60フレーム/秒と速い。画素ピッチは2.5μm,光学サイズは1/1.8インチ型で総画素数が約640万。出力インタフェースは,LVDS(low voltage differential signaling)。動画撮影時などで出力値を高める2×2画素の画素加算後に出力するモードと,そのまま出力するモードを,余分なデータを出力しないでスムーズに切り替えられることも特徴である。

 出力は所定条件下において1万2000電子/lx・秒,ランダム雑音は7電子。1画素当たりのトランジスタ数を1.75個に抑えるなどして開口率(1画素中に占める光電変換部の面積の比率)は38%に高めた。採用したルールは180nm。画素列ごとに10ビットのA-D変換器を集積している。構造は多結晶Si層が1つ,配線層が3つである。

 ソニーが発表するもう1品は,雑音の低減に向けてデジタル2重サンプリング回路を実装したCMOSセンサである[講演番号:27.5]。光学サイズは1/1.8インチ型で総画素数が約276万。画素ピッチは3.7μm前後と算出できる。ランダム雑音は5.2電子,固定パターン雑音は0.5電子未満である。このほか,MEMS関連のセッションでもう1件発表がある[講演番号:16.8]。

 Samsung社は,開口率が57%と一般的な値の2倍近いCMOSセンサを披露する[講演番号:27.2]。画素ピッチは2.25μm,光学サイズは1/2インチ型で総画素数が約720万。開口率を高めるため,画素中のトランジスタを4画素で共用する構造を採った上で,130nmルールのCu配線技術を用いた(Tech-On!関連記事)。

 飽和出力は1万4000電子,所定条件下における出力は1万5000電子/lx・秒,ランダム雑音は8電子である。なお同社は,2005年12月5日〜7日に開催予定の学会「IEDM 2005」において,画素ピッチが1.9μmで開口率52%のCMOSセンサを発表予定である。


■お詫びと訂正
記事の掲載当初,撮像素子関連で「ソニーは今回,2件発表する」と記載してい ましたが,実際にはセッション27「IMAGE SENSORS」で2件,セッション16「MEMS & SENSORS」で1件の合計3件でした。お詫びして訂正いたします。

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