米Freescale Semiconductor，Inc.は，同社で「第4世代」になる携帯電話機向けのRFアナログ回路用モジュール・セット「MMM6000シリーズ」を開発した。第3世代携帯電話方式「W-CDMA」と欧州の「GSM」，北米の「EDGE」の3方式に対応する。現在サンプル出荷中で，2005年第3四半期に量産する。価格は公開していない。

　Freescale社は従来から，複数個のLSIと各種の受動部品を基板上に実装し，LSIのようにパッケージ化した「マルチチップ・モジュール」を開発している。

　MMM6000シリーズは，W-CDMA用トランシーバ・モジュール「MMM6007」とそのパワー・アンプ（PA）用モジュール「MMM6032」，GSM/EDGE用トランシーバ・モジュール「MMM6000」とそのPA用モジュール「MMM6029」の計4個のモジュールで構成する。携帯電話の3方式に対応するほか，周波数帯もW-CDMAの800MHz帯，1.9GHz帯，2GHz帯の3バンド，GSM/EDGEの4バンドに対応する。「W-CDMAの1.9GHz帯は少しの手直しで日本で新たに携帯電話へ割り当てが決まった1.7GHz帯向けとして使える」（Freescale社の日本法人）。この修正方法について同社は，米カリフォルニア州ロングビーチで開催中の「IEEE MTT－S International Microwave Symposium 2005（IMS2005）」で明らかにしたばかりである（Tech-On！の関連記事）。

　今回のモジュール群の特徴は，LSIだけでなく受動部品も小さな1パッケージに搭載しているため，比較的容易に送受信用ボードを完成できる点や，外付けの部品点数が少ないことでボードの実装面積が小さく済む点である。2003年に同社が開発した最初の携帯電話機向けマルチチップ・モジュールは，受信回路，送信回路，ベースバンド用回路など各回路をそれぞれモジュール化し，全部で7個のモジュールからなっていた。同社は，開発の世代を重ねるごとに搭載部品を増やし，今回は4個のモジュールに数を減らした。水晶発振子やデカップリング・コンデンサなど外付け部品も含めてボード上に実装したときの面積は，629mm2。同社の前の世代よりも3割少ないという。


次世代はオール90nmルールのCMOS技術で2チップに

　今回のモジュール・セットのうち，2つのトランシーバ用モジュールはそれぞれ，RFトランシーバICとアナログ・ベースバンド用ICの2個のICを内蔵している。製造プロセスはこのICごとに異なる。具体的には，W-CDMAではトランシーバICがSiGe，アナログ・ベースバンドICが90nmルールのCMOS技術。GSM/EDGEの場合は，トランシーバICが0.13μmルールのCMOS技術，アナログ・ベースバンドICが0.18μmルールのCMOS技術を利用している。PAはW-CDMAとGSM/EDGE共にGaAsを利用する。

　「90nmルールのCMOSを携帯電話のIC製造に採用したのは今回が初めて」（Freescale社）。同社は，2006年に開発する予定の次世代モジュールで，W-CDMAとGSM/EDGEを1モジュールにまとめ，PAと合わせて2モジュール構成にする計画である。「その際，トランシーバのプロセス技術には，すべて90nmルールのCMOS技術を採用する。今回は，それに向けての第一歩」（同社）という。