産業技術総合研究所（産総研）パワーエレクトロニクス研究センターは，山梨大学大学院医学工学総合研究部の春日・矢野研究室と共同で，六方晶炭化ケイ素（4H-SiC）を使い，p+ゲート領域を埋め込んだ構造を採用した静電誘導型トランジスタ（埋め込みゲート型SiC-SIT:SiC-Static-Induction-Transistor）を，独自に開発した製造プロセスで作製した。耐圧700V，オン抵抗1.01mΩcm2という，耐圧600V～1.2kV系のスイッチング素子としては世界最小のオン抵抗を実現した。これにより，従来のインバータ回路で使っているSi（シリコン）-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）と比較して，電力の損失を1/12と大幅に削減できる。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
春割キャンペーン実施中！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
