財団法人・神奈川科学技術アカデミー（KAST）の光科学重点研究室の大津・斎木グループは，ナノスケールの観測手段として開発が活発化している近接場光学顕微鏡（NSOM＝Near-field Scanning Optical Microscopy，もしくはSNOM＝Scanning Near-field Optical Microscopy）で約8nmの分解能を実現。グループリーダーで，東京大学大学院工学系研究科講師の斎木敏治氏は，「量子デバイスの基本構成要素となる量子ドットを1個ずつ観測し，個々のドットにおける電子やホールの波動関数の状態を観測できるようになる。現在，その実証実験を進めているところ」と，高分子学会の高分子エレクトロニクス研究会が2002年1月25日に東京・千代田区の上智大学で開催した「2001-2高分子エレクトロニクス研究会　ナノテクノロジーと高分子デバイス」における講演の中で明らかにした。

　従来の標準的なNSOMは分解能が100nm程度で，サイズが20～40nmの量子ドットを1個ずつ観測するのは難しいとされてきた。量子ドットのサイズよりも小さい10nmを切る分解能を実現したことで，量子ドットを1個ずつ観測できるようになり，量子デバイスの開発を大きく前進させることが期待できる。

　近接場光は，開口部を光の波長よりも大幅に小さくすることで，開口部近傍に発生する局所的な光の強力な電磁場。これを利用することで，ナノスケールの形状などを観測できるようになる。NSOMの分解能は，光の出入り口となる光ファイバープローブの開口部の大きさに依存し，一般的な光学顕微鏡のように波長には依存しない。つまり，光ファイバープローブの設計および作製技術が，分解能を高めるための重要なポイントになる。

　同グループは，光ファイバープローブの先端が2段階にすぼまる形状を採用し，先端のとがり具合を最適化するなど，設計を工夫した。また，先端を金で被覆して遮光し，最先端部の金被膜を直径20nm弱だけ除去する独自の作製プロセスを開発。これらによって，分解能も高く，十分な光の強さも得られる光ファイバープローブを実現した。一般に，分解能を高めると，光の電磁場の強さが低下することが課題とされてきた。

　同グループの研究成果を基に，すでに計測機器メーカーの日本分光（本社東京・八王子市）がNSOM装置「NFSシリーズ」を製品化し，販売している。ただし， 10nmを切る高分解能のプローブは実験室レベルでしか作製できておらず，市販はしていない。