不揮発性の新型メモリーはそれぞれ普及に向けた壁を乗り越えなければならない。開発メーカーが急増するSTT-MRAMは、DRAM代替を進めるには大容量化という最後の関門がある。ReRAMの最大の課題は市場の立ち上げ。NANDフラッシュメモリーとの直接対決を避ける戦略が成功のカギを握りそうだ。

　STT-MRAMやReRAMといった新型不揮発性メモリーは、各種のコンピューターシステムを大きく変える潜在力を備えている。そのインパクトは大きく2つ。（1）電源を入れた瞬間に起動し、いつでも電源をオフにできる、（2）消費電力が大きく減るの2点である。

　既にSSDには不揮発性のNANDフラッシュメモリーが用いられているが、ストレージだけが不揮発でも（1）の効果は薄く、（2）もHDDとの差を示せなかった注1、2）。新しい不揮発性メモリーは（1）と（2）を機器の大きな売り物にできる注3）。

注1）SSDを使うと起動は速くなるが、主記憶であるDRAMにストレージのデータを読み込ませる時間があるため、瞬時とまではいかない。電源オフ時も主記憶のデータを退避する時間が必要である。
注2）SSDの消費電力は、例えば同じ容量3TバイトのHDDと比較して、動作時（書き込み時や読み出し時）は約6Wでほぼ同水準。アイドル時でも3～4Wでやはり同水準である。メモリー以外の周辺回路の消費電力に大差がないからである。
注3）ディスプレーを別にすれば、コンピューターシステムの平均消費電力は一般的にマイクロプロセッサーが最も大きく、次にDRAM、ストレージの順となる。

　新しい不揮発性メモリーの多くは既に製品化されているが、市場に浸透するには時間がかかりそうだ。当初は製造コストが高くならざるを得ないからだ。