2014年12月に米国で開催された、半導体デバイス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM2014」。2015年以降のプロセッサーやメモリーなどに使われる最新の研究開発成果が続出した。プロセッサーやSoC（system on a chip）などを支える14nm世代のCMOSロジック技術を、米Intel社、米IBM社、台湾TSMCなどが公表した。ソニーと東芝はそれぞれ、次世代の不揮発性メモリー技術を報告した。
半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM2014（2014 IEEE International Electron Devices Meeting）が米国カリフォルニア州サンフランシスコで2014年12月15日～17日（現地時間）に開催された（図1）。
図1 IEDM2014のキーノート講演会場に設営された垂れ幕と講演台
サンフランシスコ市街のホテル「Hilton San Francisco
Union Square」の宴会場フロアが会場となった。IEDMは今回で第60回を迎えた。2014年12月15日午前9時少し前に撮影（現地時間）。
[画像のクリックで拡大表示]
Intelがエアギャップ配線導入
IEDMにおける技術発表は、大別するとCMOSロジック技術とメモリー技術から成る。CMOSロジック技術は22nm/20nm技術が既に量産に入っており、次の世代である16nm/14nm技術の概要がIEDM2014では披露された。公表したのは、米Intel社、米IBM社、台湾TSMC、伊仏合弁STMicroelectronics社である（表1）。
表1 IEDM2014で発表された最先端CMOSデバイス技術の例
[画像のクリックで拡大表示]
