部品
12/6 → 12/12
1位 日本発の新技術に大きな期待
有機ELや酸化物TFTに注目
「20th International Display Workshops（IDW‘13）」において、OLED（有機EL）のセッションが開催された。九州大学 教授の安達千波矢氏は、有機EL分野で実用化への期待が最も高い「TADF（thermally activated delayed fluores-cence：熱活性型遅延型蛍光）」の技術について発表した。
TADFは、リン光に必須な材料である貴金属のイリジウム（Ir）を必要とせず、安価でリン光材料並みの高い発光効率を実現できる。
台湾AU Optronics社は、ITZO（InSnZnO）TFTを用いた56型有機ELテレビを発表した。出光興産のITZO材料を用いてIGZO（InGaZnO）TFTの3倍以上のキャリア移動度33.2cm2/Vsを実現している。（12/6）
2位 東レ、石川工場から初出荷
「Boeing 787」用のプリプレグ
東レは、同社の炭素繊維「トレカ」を使用した「Boeing 787」型機用プリプレグ（炭素繊維樹脂含浸シート）を2013年12月5日に石川工場（石川県能美市）から初出荷した。
これに先立ち、同工場のプリプレグ生産ラインが、米Boeing社の設備認定を取得しており、Boeing 787型機の月産10機体制に対応した安定供給体制が整うことになる。
2009年7月に本格稼働を開始した石川工場のプリプレグ第1生産ラインはこれまで、スポーツ・産業用途向けに製品を生産・供給してきた。Boeing社の設備認定を取得したことによって、今後は航空機向けプリプレグの生産比率を高めていくことになる。（12/6）
3位 “融かさない”相変化メモリ
高速・低電力で1億回の書き換え
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と筑波大学は、新しい膜構造と動作原理を採り入れた相変化メモリ技術を共同開発した。従来の相変化メモリに比べて書き込み時間と書き込み電力をいずれも1/10以下に低減できる上に、書き換え可能回数を1億（108）回以上に高められるという。（12/10）
4位 酸化物TFTは信頼性確保が
実用化への最大の課題
「20th International Display Workshops（IDW‘13）」で行われた「AMD（Active Matrix Displays）」セッションでは、7セッションのうちの4セッションが酸化物TFTの課題だった。さらに、2セッションは信頼性向上に関するもので、酸化物TFTの実用化への最大の課題は信頼性確保であるという業界の認識を反映させたセッション構成になった。（12/9）
5位 Intel、極低電圧トランジスタの
10nm以降への微細化指針示す
米Intel社は、0.4V未満といった非常に低い電圧で駆動できるトランジスタであるトンネルFETを、ゲート長が9nm以下の技術世代へ微細化するための指針を示した。
ゲート長9nm前後までは、トンネルFETにナノワイヤ構造を組み合わせることで、0.4V未満の電源電圧でSiナノワイヤ・トランジスタよりも高いオン電流を得ることができるという。さらに、共鳴トンネル現象を利用して通常のトンネルFETに比べて高いオン電流が得られる構造を導入すれば、ゲート長9nm未満への微細化が可能になるとする。（12/11）
6位 TSMCが報告
300mmガラス・インターポーザ
台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は300mmウエハー・サイズの薄型ガラス・インターポーザについて「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）で発表した。（12/11）
