日経テクノロジーオンライン

【第5回】CMPスラリー技術

CMPのカギを握るスラリー、低ダメージ化で新材料に対応

2013/04/26 00:00
大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
出典:日経マイクロデバイス2008年8月号pp.81-86 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
リソグラフィによるLSIの微細化を支えてきたのがCMP(化学機械研磨)技術である。CMPでデバイス表面を高精度に平坦化することにより,露光に必要な焦点深度を確保できるようになった。CMPの研磨剤として使うスラリーは,平坦化プロセスの制御の決め手となる。LSIへのCu/低誘電率(low-k)膜の導入に伴い,スラリーの砥粒や化学成分の改良によるCMPの低圧・低ダメージ化が重要になってきた。第5回は,CMPの進化を支えるスラリー技術について解説する。

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