半導体製造 プロセス技術や工場の動向を知るための
 

【第16回●洗浄(1)】LSIの歩留まりと信頼性を左右

田中 眞人(大日本スクリーン製造 半導体機器カンパニー 開発統轄部 開発部 部長)
2013/04/09 00:00
出典:日経マイクロデバイス、2006年10月号 、pp.108-110 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
印刷用ページ

連載の第16回と第17回では,LSI製造プロセスの全般にかかわり,歩留まり向上に欠かせない洗浄技術を取り上げる。洗浄の基本的な手法は1970年代から変わっていないが,LSIの微細化や新材料の導入に伴って,その技術課題はここに来て増大している。

 LSI製造プロセスにおいて,パーティクル(微粒子)や金属,有機物によるデバイスの汚染は,製造歩留まりや動作信頼性を低下させる。そこで,工程ごとにSiウエーハに付着した汚染を除去し,汚染を次の工程に持ち込まないようにする必要がある。このためのプロセスがSiウエーハの洗浄である。洗浄はLSI製造の全般にわたって必要なプロセスであり,そのステップ数は全ステップの20~25%程度と高い比率を占める(図1)。

図1●洗浄はLSI製造に欠かせない
洗浄はLSI製造の全般にわたって必要なプロセスであり,全ステップの約20~25%を占める。大日本スクリーン製造のデータ。

 LSIの微細化が進むにつれて,Siウエーハ洗浄の重要性は以前に比べて高まっている。設計ルールが大きいLSIでは許容されたわずかな汚染が,歩留まりや信頼性に影響を与えるようになるためである。一方,そうしたわずかな汚染を除去するために洗浄に求められる技術的な要求は,高まり続けている(図2)。

図2●微細化で洗浄への技術要求が高まる
微細化に伴って,わずかな汚染がLSIの歩留まりや信頼性に影響を与えるようになった。国際半導体技術ロードマップ(ITRS)のデータを基に大日本スクリーン製造が作成。
[画像のクリックで拡大表示]

 以下では,まずSiウエーハ洗浄の基本原理を説明する。それに続いて,LSIの微細化に伴って生じる技術課題を明らかにし,それに応える技術開発の現状について説明する。

ここから先は日経テクノロジーオンライン有料会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の「有料会員に申し込む」ボタンをクリックして、申し込み手続を完了させてからご参照ください。

<技術者塾>
電源制御と主回路の定式化手法(2日間)
~状態平均化法によるコンバータの伝達関数の導出と制御設計の基礎について事例を基にわかりやすく解説~



これまでの電源設計の教科書にはない新しい見地から基礎理論および実践例について解説するとともに、「系の安定度」の問題点と解決手法についても解説します。今年3月に発刊した「スイッチング電源制御設計の基礎」(日経BP社刊)をベースに最新の内容を解説いたします。詳細はこちら

【日時】:2015年9月28~29日 10:00~17:00 (開場9:30)予定
【会場】:化学会館(東京・御茶ノ水)
【主催】:日経エレクトロニクス

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング