日経テクノロジーオンライン

【第9回●配線と平坦化(1)】メッキと低圧CMPが基幹技術

2013/03/29 00:00
辻村 学(荏原製作所 精密・電子事業カンパニー 上席執行役員 装置事業部長)
出典:日経マイクロデバイス2006年6月号pp.102-106 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
連載の第9回と第10回では,LSIの微細化と多層化に伴って配線の断線やパターン崩れを防ぐための必須技術となったメッキとCMP(化学的機械研磨:chemical mechanical polishing)による平坦化技術を取り上げる。メッキとCMPは,1980年代後半の技術革新によってLSI製造向けで実用化され,1990年代後半にLSIの基幹プロセスであるCu配線の形成に適用された。層間絶縁膜の低誘電率化に伴う研磨の低圧力化に応えるために,電気分解やエッチングを活用した平坦化技術がカギとなってきた。

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