欧州の有害物質規制法案「RoHS指令」の施行まで残すところ，あと1年数カ月。使用が規制される有害物質の中で，多くの機器メーカーが今なお対応に苦慮しているのがPb（鉛）である。ハンダやメッキのPbフリー化に伴い，さまざまな問題が噴出しているのだ。その1つがリフロー・ハンダ付け工程の加熱時に発生する，半導体の「パッケージ・クラック」だ。パッケージ・クラックとは半導体のモールド樹脂に生じる亀裂のことで，チップとリード・フレーム†を電気的に接続するAu（金）配線を切断してしまう恐れがある。

　パッケージ・クラックが発生するのは，Pbフリー・ハンダの溶融温度が約＋210℃～＋220℃と従来のSn（スズ）-Pb共晶ハンダよりも数十℃も高いことに起因する。例えばPDP向けプリント配線基板のように面積が大きいと，加熱時にどうしても温度ムラが生じてしまう。その結果，実装部品への熱負荷が大きくなりパッケージ・クラックが発生する場合がある。クラックを回避するためにリフロー・ハンダ付け工程での温度プロファイルを調整するなどの対応策があるものの，「完全に回避するのは現時点では難しい」（複数の機器メーカーの実装技術者）という。

　こうした状況の中，ルネサス テクノロジは自社で開発し使用しているSDP（smalldie pad）型リード・フレームがパッケージ・クラックの発生しにくい構造であることに注目し，外販することを明らかにした。