米IBM Corp.と米AMD，Inc.は，マイクロプロセサなどの論理回路の動作周波数を約10％高められる新たな半導体製造技術「dual stress liner（DSL）」を共同開発し，2004年12月に開かれた国際学会「International Electron Devices Meeting 2004」で発表した。DSLは，CMOS型トランジスタのチャネル部分に応力を加えることでキャリアの移動度を向上させ，トランジスタの駆動能力を高める「ひずみSi技術」の一種である。同技術を用いれば，しきい値電圧を低減せずに動作周波数を高められるため，リーク電流の増加を抑えやすい。