製造手法はシンプル

　抵抗変化型メモリ（ReRAM）や相変化メモリ（PRAM）、磁気メモリ（MRAM）などがひしめく次世代メモリの主役争いに、新たな対抗馬が加わった。米Nantero社が開発した、カーボン・ナノチューブ（CNT）を使う不揮発性メモリ「NRAM」だ。DRAM並みに動作が高速で、ビット当たりのコストでもDRAMをしのぐ可能性を秘めている。

　既に基礎的な開発を完了しており、量産が近い段階にある。複数の大手半導体メーカーが「量産ラインで技術評価を進めている」（Nantero社CTO＆Co-FounderのThomas Rueckes氏）という。民生機器向けのマイコンに混載するメモリとして、1～2年以内にも量産が始まる見通しだ。将来的には「DRAMの代替や、（DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める）ストレージ・クラス・メモリへの応用を狙う」（同氏）考えである。

『日経エレクトロニクス』2012年10月29日号より一部掲載

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